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科技日報記者 史俊斌
國內首套展示第三代半導體研究成果的系列科技專著——《寬禁帶半導體前沿叢書》，近日由西安電子科技大學出版社正式出版發(fā)行。
該叢書瞄準世界科技前沿和產業(yè)熱點，反映我國寬禁帶半導體研究領域核心科技創(chuàng)新，以服務國家重大戰(zhàn)略和學科發(fā)展需求為宗旨，致力于梳理寬禁帶半導體基礎前沿與核心科學技術問題，從半導體材料的表征、機制、應用和器件的制備等多個方面，介紹寬禁帶半導體領域的前沿理論、核心技術及最新研究進展，具有科學性、創(chuàng)新性和前瞻性，市場需求迫切，填補了寬禁帶半導體領域系列科技圖書出版的市場空白。
據(jù)悉，該叢書由12部專著組成，包括《氮化鎵基半導體異質結構及二維電子氣》《氮化物半導體準范德華外延及應用》《氮化鎵單晶材料生長與應用》《氮化鋁單晶材料生長與應用》《氮化物半導體太赫茲器件》《氧化鎵半導體器件》《寬禁帶半導體紫外光電探測器》《寬禁帶半導體核輻射探測器》《寬禁帶半導體氧化鎵——結構、制備與性能》《金剛石半導體器件前沿技術》《寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征》《氮化鎵微波功率器件》等著作。另外，為了生動反映彩色插圖的原貌，這套系列叢書采用了黑白插圖加二維碼彩圖的方式，將全書的圖文質量生動展現(xiàn)給讀者。
叢書編委會由中國科學院郝躍院士、鄭有炓院士、劉明院士、江風益院士等多名科學家領銜，集中了北京大學、南京大學、中國科技大學等10余所高校、研究所的近40位中青年微電子專家組成。
（西安電子科技大學宣傳部供圖）
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