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中關(guān)村在線消息，美光宣布其HBM3 Gen2內(nèi)存已經(jīng)處于生產(chǎn)階段，具體來(lái)說(shuō)，美光HBM3 Gen2內(nèi)存具有 1.2 TB/s 的聚合帶寬和最高容量的 8 高堆棧 24GB的容量（為業(yè)界首款），與其他8高HBM3內(nèi)存相比，容量增加了50%，工藝方面采用了1β (1-beta) 制造工藝制造，每瓦性能提高了2.5倍。
據(jù)相關(guān)人士透露，美光的HBM3 Gen2內(nèi)存目前受到了谷歌、微軟、AWS等云服務(wù)廠商的密切關(guān)注，以用來(lái)加速上述廠商的AI創(chuàng)新，并應(yīng)用于類(lèi)似chatGPT等應(yīng)用上HBM（高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU 內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。HBM3是去年推出的最新標(biāo)準(zhǔn)，其單芯片接口寬度可達(dá)1024bit，有望廣泛應(yīng)用于AI、圖形、網(wǎng)絡(luò)等HPC應(yīng)用之中。目前，包括SK海力士、三星和美光在內(nèi)的存儲(chǔ)巨頭正在紛紛加碼HBM。
鎂光內(nèi)存二手內(nèi)存筆記本內(nèi)存ddr3內(nèi)存ddr4內(nèi)存4g8g16g32g1333.1600.2400. 原廠鎂光內(nèi)存ddr4代4g2400筆記本內(nèi)存
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